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		<title>Oxidation on Ultra-Performance IR Heating</title>
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				<title>Wafer Oxidationsheizelement</title>
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				<pubDate>Thu, 25 Jun 2026 04:37:15 +0800</pubDate>
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				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heat-ultra.com/images/c4487c91a5d0bd93963bf8b3a19ba704.png&#34; alt=&#34;Wafer Oxidationsheizelement&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;In der Oxidationsphase ist Temperaturstabilität nicht etwas, das man gerne hätte – sie ist vielmehr die Grundvoraussetzung für einen reibungslosen Ablauf des Prozesses. Eine Schwankung von 1°C auf der Wafer-Oberfläche führt dazu, dass die Dicke des Oxids um einige Angströme zunimmt. Das reicht bereits aus, um die Eigenschaften der Geräte zu beeinträchtigen und stundenlange Arbeit zunichte zu machen. Wir haben diese Heizelemente entwickelt, um diese Unwägbarkeiten auszuschließen.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Was technisch wichtig ist:&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Es wird eine thermische Homogenität auf Wafer-Ebene von ±0,1°C erreicht – dadurch bleibt der thermische Zustand konstant und reproduzierbar. Quarz mit Kohlenstofffaserverstärkung sorgt für eine schnelle Erhitzung sowie eine vorhersehbare Emittivität. Zudem verhindert das Design mit geringer Gasemission die Entstehung von Partikeln. Dadurch wird eine Kompatibilität mit Reinräumen der Klassen 1–100 gewährleistet. Die Leistung bleibt auch bei 24/7-Betrieb konstant, und es kommt zu weniger unplanmäßigen Stopps.&lt;/p&gt;</description>
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