웨이퍼의 버닝 과정이나 포토레지스트 건조 과정에서 발생하는 온도 변동은 아무런 경고 신호 없이 일어납니다. 이러한 변동은 선의 굵기 변화, 접착력 약화, 그리고 전기 테스트 단계에서야 비로소 드러나는 수율 저하로 나타납니다. 우리는 이러한 문제가 발생하기 전에 미리 방지할 수 있도록 NIR 가열 램프를 개발했습니다.
중요한 요소들 이 시스템은 반응 속도가 빠른 석영 커버를 갖춘 단파장 NIR 광원을 사용하여, 접촉 없이도 웨이퍼에 빠르게 열을 전달합니다. 프로세스 구역 전체에서의 온도 일관성은 ±0.1°C 수준이며, 여러 번 반복해도 0.2°C 이내의 오차만 발생합니다. 소프트 베이크와 하드 베이크 과정도 엄격한 온도 제어 하에 이루어져서, 용매가 깨끗하게 제거되고 교차결합이 발생하지 않습니다.
우리는 저입자 설계를 통해 클린룸 클래스 1–100 환경을 유지합니다. 램프 하우징은 밀폐되어 있으며, 배기 시스템도 분리되어 있어 입자 수가 일정하게 유지됩니다.
실제 작업에서의 장점 버닝 과정에서는 램프가 빠른 온도 상승을 가능하게 해주어, 인터커넥트에 부담을 주지 않으면서도 처리 시간을 단축시킵니다. 리소그래피 과정에서도 동일한 에너지 밀도 덕분에 일관된 소프트 베이크와 하드 베이크가 이루어져, 웨이퍼의 형상이 안정적으로 유지됩니다.
24/7 연속 작동이 가능하며, 예측 가능한 유지보수 주기 덕분에 에너지를 절약할 수 있습니다. 또한 광원이 웨이퍼를 직접 가열하기 때문에 챔버 자체를 가열할 필요가 없습니다. 이로 인해 프로세스 시간이 단축되고 폐기물도 줄어듭니다.
실용적인 세부 사항 NIR 램프의 출력은 직선상으로 이루어지므로, 웨이퍼의 위치와 스테이지의 속도를 빔 프로파일에 맞춰야 합니다. 보정을 위해서는 짧은 시간의 테스트가 필요합니다.
이 램프는 표준 SEMI 인터페이스와 호환되지만, 기존 장비에 설치할 경우 열 관리 방식을 수정하고 설정 값을 변경해야 할 수도 있습니다. 클린룸의 공기 흐름을 잘 계획하고, 온도 상승 시 발생하는 과도한 배기량을 처리할 수 있는 시스템을 갖추는 것이 중요합니다.